Metode și aplicații de inteligență artificială pentru proiectarea și optimizarea tranzistoarelor MOSFET de putere

Scopul acestui volum este investigarea tehnicilor de proiectare utilizate în prezent, și formularea unor solutții de îmbunătățire a acestora, astfel încât să se maximizeze performanța tranzistorului cu efect de câmp MOSFET, concomitent cu reducerea costurilor asociate. În primul rând, obiectivul principal este diminuarea timpului de simulare necesar analizelor avansate ale MOSFET-urilor de putere. Al doilea obiectiv îl constituie identificarea unui compromis optim între costuri și performanță pentru orice noi dispozitive MOSFET de putere proiectate.